電子發燒友網報道（文/黃晶晶）碳化矽SiC是寬禁帶半導體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高擊穿場強和高熱導率等優良特性，成為制作高溫、高頻和大功率電力電子器件的理想半導體材料。

國外碳化矽半導體產業鏈發展起步早，從襯底到外延片再到芯片的工藝產品相對成熟，不過近年來國產碳化矽產業鏈也取得不小的進步。

據了解，今年以來，華潤微電子已經切入到碳化矽領域，無論從產品線還是技術研發等布局來看，這家國內功率IDM龍頭的入局將推動國產碳化矽進入新的階段。

碳化矽市場格局

碳化矽產業鏈分為SiC襯底、EPI外延片、器件、模組等環節，目前全球碳化矽市場基本被國外壟斷，根據Yole數據顯示，Cree、英飛淩、羅姆約占據了90％的SiC市場份額，Cree是SiC襯底主要供應商，羅姆、意法半導體等擁有自己的SiC生產線等。

襯底方面，國際主流產品從4英寸向6英寸過渡，Cree已經開發出8英寸襯底。國內襯底主要供應商有天科合達、山東天嶽、同光晶體等能夠供應3 英寸-6 英寸的單晶襯底。國內SiC襯底以4英寸為主，6英寸襯底還有待突破。

2019年8月，華為通過旗下的哈勃科技投資有限公司投資了山東天嶽公司，占股10%，顯示華為正在布局新壹代半導體材料技術。

外延片方面，國內廈門瀚天天成、東莞天域、世紀金光已能提供4英寸/6英寸SiC外延片。目前，6英寸碳化矽外延片可以實現本土供應。

SiC器件方面，國際上600~1700V SiC SBD、MOSFET 已經實現產業化，主流產品耐壓水平在1200V 以下，封裝形式以TO 封裝為主。價格方面，國際上的SiC 產品價格是對應Si 產品的5~6 倍，正以每年10%的速度下降。據預測，隨著上遊材料器件紛紛擴產上線，未來2~3年後市場供應加大，價格將進壹步下降，預計價格達到對應Si 產品2~3 倍時，由系統成本減少和性能提升帶來的優勢將推動SiC 逐步占領Si 器件的市場空間。

國內碳化矽器件供應商主要有中車時代電氣、中電55所、中電13所、基本半導體、泰科天潤、瑞能半導體等，以及國內功率IDM龍頭華潤微電子也進入到這壹領域。